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超快恢复二极管模块的制太阳城亚洲作和应用分

时间:2020-07-11来源:admin

  有目共睹,方今电子手艺的生长倾向是:使用手艺高频化、硬件布局模块化、半导体器件智能化、掌管手艺数字化以及产物职能绿色化(对电网等无污染)。

  模块化布局升高了产物的茂密性、安宁性和牢靠性,同时也可低落装配的分娩本钱,缩短产物进入墟市的周期,太阳城亚洲升高企业正在墟市中的逐鹿力。因为电途的连线已正在模块内部完工,并采用与PCB相同可刻蚀出各类图形布局的陶瓷覆铜板(DBC板),于是,大大缩短了模块内元器件之间的连线,可竣工优化布线和对称性布局的打算,使装配电途的寄生电感和电容值大大低落,有利于竣工装配的高频化。其余,模块化布局与同容量分立器件布局比拟,还具有体积小、重量轻、布局紧凑、毗邻线容易,便于爱护和装配等甜头,所以大大缩小变流装配的体积、低落装配的重量和本钱,升高了装配的成果和牢靠性。且模块的主电特别子、掌管端子和辅助端子与模块铜底板之间具有2.5KV以上有用值的绝缘耐压,使之能与装配内各类分歧模块协同装配正在一个接地的散热器上,有利于装配体积的进一步缩小,简化妆配的布局打算。

  20世纪80年代初,绝缘栅双极晶体管(IBGT)、功率MOS场效应管(POWER MOSFET)和集成门极换流晶闸管(IGCT)的研制获胜,并获得快速生长和商品化,这不只对电力电子变流器向高频化生长供应了坚实的器件根源,同时,也为用电开发高频化(20KHZ以上)和高频开发固态化、为高效、节电、节能、节材,为竣工机电一体化、太阳城亚洲小型化、轻量化和智能化供应了紧急手艺根源。与此同时,给IGBT、功率MOSFET以及IGCT等开合器件配套的,且不行贫乏的FRD和FRED器件也获得飞疾生长。由于跟着装配管事开合频率的升高,若没有FRD和FRED给高频变频装配的开合器件作续流、吸取、箝位、间隔、输入整流器和输出整流器的配套,那么IGBT、功率MOSFET和IGCT等高频开合器件就不行阐扬它们应有功效和独殊效用,这是因为FRED的合断特征参数(反向光复时分trr、反向光复电荷Qrr和反向峰值电流IRM)的效用所致,最佳和符合参数的FRED、行为续流二极管与高频开合器件谐和管事,使高频逆变电途内因开合器件换流所惹起的过电压尖峰,高频扰乱电压以及EMI扰乱可降至最低,也可低落功耗,使开合器件的功效获得充实的阐扬。

  超疾光复二极管模块(FRED)类型MEO,MEE,MEA和MEK(图1)是分立型DESEI向大电流的扩展,其特征稳固。它可能用正在一起MOSFET,IGBT或双极性达林顿管电途中,管事频率要高于1kHz。

  要是要用几个分立二极管井联成小模块,换用这些模块可减小装配时分和开发尺寸。凡是FRED可用作大电流的IGBT或踊跃性达林顿管的续流二极管,或用作电源和焊接机的敏捷整流管。下面是一系列超疾光复二极管模块(FRED)的使用。

  A. 用作拖动和UPS体系中单相或三相逆变器的续流二极管,采用PWM掌管,开合频率高于1kHz(图1)。

  (b)应用MOSFET的正激变换器和直流电机驱动的错误称全桥图(图2b))

  全波整流电途(图4(a))中,遵照负载电流的巨细,可选取几个MEO模块并联。

  共阴极拓朴(图4(b))中,遵照负载电流的巨细,可选取几个MEK模块井联。

  共阳极拓朴(图4(c))中,遵照负载电流的巨细,可选取几个MEA模块并联。

  全桥整流电途(图4(d))中,遵照负载电流的巨细,可选取几个MEE或MEO模块并联。

  高压输出的全桥整流电途(图4(e))中,可应用两个MEE模块串联得到高阻断电压。

  一起的超疾光复二极管模块(FRED)中接连直流电流IFAVM的数值是正在散热器温度TS=65℃,结温TVJM=125℃(温差60℃)的条目下给出的。

  如与其它产物较量,要确定两个模块的结芯与散热器温差相当,由于温差定夺可流过的正向电流。

  况且。超疾光复二极管模块(FRED)的电流定额和阻断损耗都是正在TVJ=125℃和占空比d=50%条目下的。

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